测量场效应晶体管(FET)特性的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在一种FET特性测量的方法中，将从一偏压三通管的一输出端子输出的一预定偏压电压施加到一FET的漏极，且将从一脉冲发生器输出的一脉冲施加到其栅极，以借此导致产生漏极电流。通过连接到所述偏压三通管的一AC输出端子的一负载阻抗将所述漏极电流转换成一电压脉冲，并基于所述电压脉冲测量所述漏极电流。所述方法包括：将所述偏压电压增加一对应于由所述负载阻抗引起的一电压降的量且重复测量一所述电压脉冲值一预定次数，和对通过所述预定次数的重复测量所得到的所述电压脉冲值的最后两个值应用外推法以确定待施加到所述FET的一漏极电压。
基本信息
专利标题 ：
测量场效应晶体管(FET)特性的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797019A
申请号 ：
CN200510132826.4
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
齐藤升
申请人 ：
安捷伦科技公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王允方
优先权 ：
CN200510132826.4
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R31/00 H01L21/66
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2008-08-27 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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