一种制备硫化镉纳米线的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开的制备硫化镉纳米线的方法，以氯化镉为镉源，硫脲为硫源，二苯硫腙为修饰剂，以己二胺为溶剂，于反应釜中充分反应制得。本发明制备方法以及使用设备简单；制得的CdS纳米线为单晶，沿(100)方向取向生长，长径比在250以上，尺寸分布均匀，纯度高。
基本信息
专利标题 ：
一种制备硫化镉纳米线的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1818153A
申请号 ：
CN200610049153.0
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵高凌李红韩高荣杨金坚
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
韩介梅
优先权 ：
CN200610049153.0
主分类号 ：
C30B29/50
IPC分类号 ：
C30B29/50 C30B29/62
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
C30B29/48
AⅡBⅥ化合物
C30B29/50
硫化镉
法律状态
2008-01-09 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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