硫化物半导体纳米线的制备方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种基于前驱体热解法在阳极氧化铝(PAA)模板中合成II－VI族硫化物半导体纳米线的制备方法。该制备方法以短碳链双烷基硫磷化合物配位稳定的金属有机配合物为前驱体，通过简单的浸泡方式以及后续的高温热处理，即可得到II－VI族硫化物半导体纳米线阵列和纳米线。所得纳米线长径比均一，纳米线直径大小可随着模板孔径的大小调整，线长可达10微米左右。本制备方法具有原料廉价易得、合成工艺简便、成本低、适用范围广等特点。

基本信息

专利标题：

硫化物半导体纳米线的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1986911A

申请号：

CN200510133952.1

公开（公告）日：

2007-06-27

申请日：

2005-12-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈淼娄文静张亚男王晓波

申请人：

中国科学院兰州化学物理研究所

申请人地址：

730000甘肃省兰州市城关区天水中路18号

代理机构：

兰州中科华西专利代理有限公司

代理人：

方晓佳

优先权：

CN200510133952.1

主分类号：

C30B29/48

IPC分类号：

C30B29/48 C30B29/62 C01G1/12

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B29/00

以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料

C30B29/10

无机化合物或组合物

C30B29/46

含硫、硒或碲的化合物

C30B29/48

AⅡBⅥ化合物

法律状态

2014-02-19 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101571526515
IPC(主分类) : C30B 29/48
专利号 : ZL2005101339521
申请日 : 20051220
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20121220

2008-09-10 ：

授权

2007-08-22 ：

实质审查的生效

2007-06-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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