硫化镉半导体量子点的制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种通过前驱体热解法获得高度单分散的油溶性硫化镉半导体量子点的制备方法。采用新颖的含长碳链双烷基硫膦酸作为金属镉离子的配体形成前驱体，经过简单的热解反应过程以及沉淀，过滤，干燥等后过程处理即可得到硫化镉半导体纳米粉。产物粒径均匀，约在5nm左右，可以溶解的形式分散于苯、甲苯、石油醚、氯仿等非极性或弱极性溶剂中形成透明的纳米分散体系；该方法所制备硫化镉纳米颗粒粉体的光学性质十分优异。
基本信息
专利标题 ：
硫化镉半导体量子点的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1986726A
申请号 ：
CN200510133953.6
公开（公告）日 ：
2007-06-27
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈淼娄文静王晓波
申请人 ：
中国科学院兰州化学物理研究所
申请人地址 ：
730000甘肃省兰州市城关区天水中路18号
代理机构 ：
兰州中科华西专利代理有限公司
代理人 ：
方晓佳
优先权 ：
CN200510133953.6
主分类号 ：
C09K11/56
IPC分类号 ：
C09K11/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K11/00
发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料
C09K11/08
含无机发光材料
C09K11/56
含硫
法律状态
2009-06-03 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-22 ：
实质审查的生效
2007-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
