一种合成碳包覆锗纳米线的方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种合成碳包覆锗纳米线的方法，其步骤如下：以水解四氯化锗形成的氧化锗为催化剂，将催化剂放入温度为700～1000℃的固定床气体连续流动反应炉中，通入乙炔、氩气或氮气，乙炔与氩气或氮气的气体流量比为1∶5～1∶20，反应10～60分钟，收集产物即可。本发明的合成碳包覆锗纳米线的方法简单，产量高，成本低，有利于工业化生产。

基本信息

专利标题：

一种合成碳包覆锗纳米线的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1831212A

申请号：

CN200610049547.6

公开（公告）日：

2006-09-13

申请日：

2006-02-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陶新永张孝彬程继鹏罗志强刘芙

申请人：

浙江大学

申请人地址：

310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

韩介梅

优先权：

CN200610049547.6

主分类号：

C30B25/00

IPC分类号：

C30B25/00 C30B29/62

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B25/00

反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长

法律状态

2011-04-27 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101065105054
IPC(主分类) : C30B 25/00
专利号 : ZL2006100495476
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20070725
终止日期 : 20100220

2007-07-25 ：

授权

2006-11-08 ：

实质审查的生效

2006-09-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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