电磁双重屏蔽膜
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明属于新型抗电磁干扰(EMI)屏蔽技术领域，特别是涉及一种电磁双重屏蔽膜，包括铁、铬、镍、钛锰、钴，其特征在于所述金属成分的百分含量为：Fe：30％～85％，Cr：5％～50％，Ni：1％～20％，Ti：1～10％；所述金属成分按照铬当量([Cr]＝Cr+Mo+0.015Si+0.005Ti)和镍当量([Ni]＝Ni+0.3C+0.005Mn)成分配比，计算的镍当量[Ni]小于24，铬当量大于16；由于本发明是采用奥氏体的镍铬类不锈钢作为溅射靶材，鉴于奥氏体是顺磁体，它具有较高的溅射成膜速率，通过溅射可以快速获得铁磁性的铁素体不锈钢薄膜，该薄膜具有磁屏蔽和电屏蔽效果，并且具有不锈钢材料良好的耐候性，它是一种镀覆于电子产品塑料外壳表面的理想金属膜之一。
基本信息
专利标题 ：
电磁双重屏蔽膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819758A
申请号 ：
CN200610049911.9
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-03-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董树荣王德苗任高潮
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州君易知识产权代理事务所
代理人 ：
陈向群
优先权 ：
CN200610049911.9
主分类号 ：
H05K9/00
IPC分类号 ：
H05K9/00 G12B17/02
法律状态
2008-08-20 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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