电磁双重屏蔽膜的溅射制备方法
专利权的终止
摘要
本发明属于新型抗电磁干扰(EMI)屏蔽技术领域，特别是涉及一种电磁双重屏蔽膜的溅射制备方法，其制备工艺是选择特定成分奥氏体组织的镍铬类不锈钢靶材一对塑料表面清洗和活化一金属化溅射镀；所述金属化溅射镀采用的溅射靶为奥氏体的镍铬类双相不锈钢靶材；其直径为60毫米，铬和镍当量为(18，7)，其标准金相组织是临近铁素体区的奥氏体；鉴于奥氏体是顺磁体，它具有较高的溅射成膜速率，通过溅射可以快速获得铁磁性的铁素体不锈钢薄膜，该薄膜具有磁屏蔽和电屏蔽效果，并且具有不锈钢材料良好的耐候性；本发明具有工艺设计合理、溅射成膜速度快、生产成本低廉等优点，它是一种较理想的电磁双重屏蔽膜的溅射制备方法。
基本信息
专利标题 ：
电磁双重屏蔽膜的溅射制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1818130A
申请号 ：
CN200610049912.3
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-03-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董树荣王德苗任高潮
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州君易知识产权代理事务所
代理人 ：
陈向群
优先权 ：
CN200610049912.3
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/20 C23C14/02 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2013-05-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101457719227
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2006100499123
申请日 : 20060320
授权公告日 : 20090603
终止日期 : 20120320
号牌文件序号 : 101457719227
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2006100499123
申请日 : 20060320
授权公告日 : 20090603
终止日期 : 20120320
2009-06-03 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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