基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备、方法
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摘要
本发明公开了一种基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备，沿着基材的输送方向，设备包括依次设置的上料升降装置、进料腔、真空镀膜室Y1、真空镀膜室Y2、出料腔以及下料升降装置，进料腔、出料腔中均设有破气阀，真空镀膜室Y1和真空镀膜室Y2相连通且两真空镀膜室保持相同的真空状态，设备还包括真空腔内传送机构、真空腔外传送机构、工艺气体系统以及抽气系统；本设备可实现对数量较多的基材进行连续镀膜作业，工艺参数调整简单方便。本发明还提出了一种基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备方法，使用该方法制备的屏蔽膜层，可用于笔记本外壳、电视机外壳、手机外壳等产品上做为屏蔽膜层，起到屏蔽电磁波、防止干扰、减少电磁波辐射的作用。
基本信息
专利标题 ：
基于磁控溅射的屏蔽导电膜层制备设备、方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113445018A
申请号 ：
CN202110729112.0
公开（公告）日 ：
2021-09-28
申请日 ：
2021-06-29
授权号 ：
CN113445018B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
李方军于春锋张谦彭岫麟
申请人 ：
山东三齐能源有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市章丘区明水经济开发区圣福路2877号
代理机构 ：
济南诚智商标专利事务所有限公司
代理人 ：
刘乃东
优先权 ：
CN202110729112.0
主分类号 ：
C23C14/56
IPC分类号 ：
C23C14/56 C23C14/35 C23C14/16 C23C14/20 C23C14/18 H05K9/00
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/56
连续镀覆的专用设备；维持真空的装置，例如真空锁定器
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/56
申请日 : 20210629
申请日 : 20210629
2021-09-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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