光电动势元件
授权
摘要
本发明涉及一种光电动势元件。在n型单晶硅基板主面的除去外周部的规定宽度之外的区域内形成有i型非晶硅膜和n型非晶硅膜。n型单晶硅基板的主面上形成有覆盖i型非晶硅膜和n型非晶硅膜的表面电极。在n型单晶硅基板的背面的整个区域内形成有i型非晶硅膜和p型非晶硅膜。在p型非晶硅膜上的除去外周部的规定宽度的区域内形成背面电极。表面电极侧成为主要的光入射面。
基本信息
专利标题 ：
光电动势元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825630A
申请号 ：
CN200610057698.6
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
寺川朗浅海利夫
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200610057698.6
主分类号 ：
H01L31/04
IPC分类号 ：
H01L31/04
法律状态
2009-08-12 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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