光电动势元件的制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种改进的具有符合要求的光电转换层的光电动势元件，该光电转换层采用一种能够用来形成沉积膜的物质和一种电子氧化剂在没有等离子体的情况下制备。本发明还涉及了制备该元件的方法和装置。
基本信息
专利标题 ：
光电动势元件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86108412A
申请号 ：
CN86108412.8
公开（公告）日 ：
1987-07-29
申请日 ：
1986-12-11
授权号 ：
CN1007104B
授权日 ：
1990-03-07
发明人 ：
广冈政昭石原俊一半那纯一清水勇
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
李勇
优先权 ：
CN86108412.8
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/10 H01L31/06
法律状态
2003-01-29 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-03-20 ：
其他有关事项
1990-11-07 ：
授权
1990-03-07 ：
审定
1989-08-09 ：
实质审查请求
1987-07-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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