具有多层薄膜叠合的半导体层的薄膜光电电动势元件
专利权的终止(专利权有效期届满)
摘要
一种改进的pin型和肖特基型薄膜光电电动势元件，它具有令人满意的短路电流(Isc)、开路电压(Voc)、占空因数(F.F.)、光电转换效率和信噪比，其特征在于：至少有一层N型和P型半导体层由一层非单晶硅半导体层构成，该半导体层由多层厚度小于100埃、包含1到10原子百分比氢原子的非单晶硅薄膜层叠而成。
基本信息
专利标题 ：
具有多层薄膜叠合的半导体层的薄膜光电电动势元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88101748A
申请号 ：
CN88101748.5
公开（公告）日 ：
1988-10-05
申请日 ：
1988-03-28
授权号 ：
CN1012240B
授权日 ：
1991-03-27
发明人 ：
中川克已清水勇
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
赵蓉民
优先权 ：
CN88101748.5
主分类号 ：
H01L31/075
IPC分类号 ：
H01L31/075 H01L31/10
法律状态
2009-02-11 ：
专利权的终止(专利权有效期届满)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1991-12-11 ：
授权
1991-03-27 ：
审定
1988-10-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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