氧化铝绝缘层的制作方法

专利权的终止

摘要

本发明提供了采用溶胶－凝胶法制作铝醇盐的先驱物，以特定的涂布方法处理后，在常压与低温条件下，以紫外光或热处理使涂布的先驱物固化成膜，而制得绝缘电气性质良好的氧化铝绝缘层，或搭配准分子激光或紫外光曝光，完成氧化铝绝缘层的图案制作，有别于目前薄膜晶体管普遍采用的电浆辅助化学气相沉积法制作的氮化硅或二氧化硅无机绝缘层方法，更适合未来低成本大面积化与印刷连续式的平面显示器制作。

基本信息

专利标题：

氧化铝绝缘层的制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101030540A

申请号：

CN200610058374.4

公开（公告）日：

2007-09-05

申请日：

2006-03-03

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈其伟萧名男王朝仁

申请人：

台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司

申请人地址：

中国台湾

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

黄健

优先权：

CN200610058374.4

主分类号：

H01L21/316

IPC分类号：

H01L21/316 H01L21/288

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

H01L21/314

无机层

H01L21/316

由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层

法律状态

2020-03-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/316
申请日 : 20060303
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20190303

2009-03-18 ：

授权

2007-10-31 ：

实质审查的生效

2007-09-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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