用于转换具低电流的磁阻式随机存取存储器的磁矩的方法
专利权的终止
摘要
一种用于写入磁阻式随机存取存储器(MRAM)装置的存储器单元的方法连续包括：在第一方向提供第一磁场；在大体上与所述第一方向正交的第二方向提供第二磁场；关闭所述第一磁场；在与所述第一方向相反的第三方向提供第三磁场；关闭所述第二磁场；和关闭所述第三磁场。一种用于转换MRAM存储器单元中的磁矩的方法包括：在与偏压磁场的方向形成钝角的方向提供磁场。一种用于读取MRAM装置的方法包括：部分地转换参照存储器单元中的磁矩以产生参照电流；测量通过待读取的存储器单元的读取电流；和比较所述读取电流与所述参照电流。
基本信息
专利标题 ：
用于转换具低电流的磁阻式随机存取存储器的磁矩的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1909109A
申请号 ：
CN200610058803.8
公开（公告）日 ：
2007-02-07
申请日 ：
2006-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪建中高明哲李元仁王连昌
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
包红健
优先权 ：
CN200610058803.8
主分类号 ：
G11C11/16
IPC分类号 ：
G11C11/16 G11C11/15
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/16
应用磁自旋效应的存储元件的
法律状态
2020-03-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G11C 11/16
申请日 : 20060304
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20190304
申请日 : 20060304
授权公告日 : 20100512
终止日期 : 20190304
2010-05-12 ：
授权
2007-04-04 ：
实质审查的生效
2007-02-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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