水冷等离子淋浴器
专利权的终止
摘要
本发明提供一种等离子淋浴器，能够产生中和用电子，用于在离子注入工艺中，在被注入晶片上产生的静电积累进行中和，提高离子注入工艺的性能，消除静电积累对注入晶片的危害。
基本信息
专利标题 ：
水冷等离子淋浴器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101038869A
申请号 ：
CN200610065122.4
公开（公告）日 ：
2007-09-19
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐景庭彭立波谢均宇罗宏洋
申请人 ：
北京中科信电子装备有限公司
申请人地址 ：
100036北京市海淀区复兴路乙20号汇通商务楼北门44号办公楼2层东段
代理机构 ：
北京中海智圣知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡静
优先权 ：
CN200610065122.4
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L21/425 C30B31/22 H01J37/317 H05H1/00 H05F3/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2021-03-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/265
申请日 : 20060317
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20200317
申请日 : 20060317
授权公告日 : 20090311
终止日期 : 20200317
2009-03-11 ：
授权
2007-11-14 ：
实质审查的生效
2007-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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