水冷等离子淋浴器的送气系统
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要
本实用新型公开了一种水冷等离子淋浴器的送气系统，该系统包括一个气瓶、四个气动阀、两个压力表、一个调压阀、一个过滤器、一个质量流量计。本实用新型结构简单，能保证送气气体的气压恒定，采用气动阀控制气路通断，精密质量流量计控制气流，且设置有氮气口和真空接口，可实现对送气管路的净化清洗。各接口采用高洁净的不锈钢金属密封接头，确保所送气体的高纯度，安全可靠性高，安装调试简单。
基本信息
专利标题 ：
水冷等离子淋浴器的送气系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620113050.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-04-24
授权号 ：
CN2914323Y
授权日 ：
2007-06-20
发明人 ：
彭立波文超何科峰邱小莎
申请人 ：
北京中科信电子装备有限公司
申请人地址 ：
100036北京市海淀区复兴路乙20号汇通商务楼北门44号办公楼2层东段
代理机构 ：
北京中海智圣知识产权代理有限公司
代理人 ：
曾永珠
优先权 ：
CN200620113050.1
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L21/425 C30B31/22 H01J37/317 H05H1/00 H05F3/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2008-05-28 ：
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 2008514
2007-06-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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