具有抗反射涂层的光电二极管
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种形成有效光电二极管的方法包括如下步骤：提供其上至少一部分具有p表面区域的衬底，将浅n型表面层植入表面区域内，并在n型表面层上形成多层第一抗反射(AR)涂。该表面层最好是As或Sb表面层。形成AR的步骤包括如下步骤：在浅表面层上淀积或形成厚度为1.5nm到8nm的薄氧化物层，并且在薄氧化物层上淀积与该薄氧化物层不同的第二电介质，诸如氮化硅层。
基本信息
专利标题 ：
具有抗反射涂层的光电二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855556A
申请号 ：
CN200610068175.1
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·郑P·兰特纳姆
申请人 ：
英特赛尔美国股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
钱慰民
优先权 ：
CN200610068175.1
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/102 H01L31/0216 H01L31/0232
法律状态
2009-03-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-27 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
