形成抗反射涂层的方法

专利权的终止

摘要

一种在电子器件上形成抗反射涂层的方法，该方法包括：(A)施加ARC组合物到电子器件上，所述ARC组合物包括：(i)具有下述通式的倍半硅氧烷树脂：(PhSiO_(3－x)/2(OH)_x)_mHSiO_(3－x)/2(OH)_x)_n(MeSiO_(3－x)/2(OH)_x)_p，其中Ph是苯基，Me是甲基，x的数值为0、1或2，m的数值为0.05－0.95，n的数值为0.05－0.95，p的数值为0.05－0.95，和m＋n＋p≈1；和(ii)溶剂；以及(B)除去溶剂，并固化倍半硅氧烷树脂，从而在电子器件上形成抗反射涂层。

基本信息

专利标题：

形成抗反射涂层的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101073038A

申请号：

CN200580042018.7

公开（公告）日：

2007-11-14

申请日：

2005-09-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

P－F·付E·S·莫耶C·R·耶克勒

申请人：

陶氏康宁公司

申请人地址：

美国密执安

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

张钦

优先权：

CN200580042018.7

主分类号：

G03F7/09

IPC分类号：

G03F7/09 C08G77/12 C09D183/04 G03F7/075 C09D183/06

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/004

感光材料

G03F7/09

以细部结构为特征的，例如，基片层、辅助层

法律状态

2021-09-14 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03F 7/09
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20100505
终止日期 : 20200929

2019-02-26 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : G03F 7/09
变更事项 : 专利权人
变更前 : 陶氏康宁公司
变更后 : 美国陶氏有机硅公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国密执安
变更后 : 美国密歇根州

2010-05-05 ：

授权

2008-01-09 ：

实质审查的生效

2007-11-14 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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