在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备
专利权的终止
摘要
本实用新型提供了一种在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备。设备中有依次连接的上料台、前锁定室、前保持室、前缓冲室、有旋转的孪生中频硅靶及电源以及等离子体发射谱强度监测器闭环平衡控制装置以及用等离子分解含氢源气体得到氢自由基而使氮化硅层暴露于氢自由基的氨的充入和质量流量控制器的磁控溅射镀膜工作室、后缓冲室、后保持室、后锁定室、下料台,和各室相连的真空抽气机组、控制系统、气动翻板阀门、加热系统。确保了工艺的稳定性,提高了沉积效率,沉积氮化硅产量高、成本低。
基本信息
专利标题 :
在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620035912.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-10-18
授权号 :
CN200964435Y
授权日 :
2007-10-24
发明人 :
甘国工
申请人 :
甘国工
申请人地址 :
610100四川省成都市龙泉驿区经济技术开发区星光中路东泰(成都)工业有限公司
代理机构 :
成都立信专利事务所有限公司
代理人 :
江晓萍
优先权 :
CN200620035912.3
主分类号 :
C23C14/34
IPC分类号 :
C23C14/34 C23C14/35 C23C14/46 C23C14/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2011-01-05 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101028889500
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2006200359123
申请日 : 20061018
授权公告日 : 20071024
终止日期 : 20091118
号牌文件序号 : 101028889500
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2006200359123
申请日 : 20061018
授权公告日 : 20071024
终止日期 : 20091118
2007-10-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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