以有源电感为负载的CMOS宽带低噪声放大器
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种以有源电感为负载的CMOS宽带低噪声放大器，包括MOS管(M1－M11)，其中PMOS管(M3和M4)，NMOS管(M1、M2、M5、M6和M7)构成有源电感，NMOS管(M9、M11、M8和10)，电容(C2)和阻感(RL)构成低噪声放大器。本实用新型基于数字CMOS工艺，电路采用共栅结构，以优化设计的级联型有源电感为负载，完全省去了片上电感，又具有较为理想的性能参数。
基本信息
专利标题 ：
以有源电感为负载的CMOS宽带低噪声放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620052646.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-10-27
授权号 ：
CN200976569Y
授权日 ：
2007-11-14
发明人 ：
王镇道陈迪平陈奕星朱小莉
申请人 ：
湖南大学
申请人地址 ：
410082湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号
代理机构 ：
长沙市融智专利事务所
代理人 ：
颜昌伟
优先权 ：
CN200620052646.5
主分类号 ：
H03F1/26
IPC分类号 ：
H03F1/26
法律状态
2011-01-05 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101029289900
IPC(主分类) : H03F 1/26
专利号 : ZL2006200526465
申请日 : 20061027
授权公告日 : 20071114
终止日期 : 20091127
号牌文件序号 : 101029289900
IPC(主分类) : H03F 1/26
专利号 : ZL2006200526465
申请日 : 20061027
授权公告日 : 20071114
终止日期 : 20091127
2007-11-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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