一种有源偏置集成电路宽带低噪声放大器

授权

摘要

本实用新型公开了一种有源偏置集成电路宽带低噪声放大器，该放大器包括PHEMT放大管芯、源极匹配电路、有源偏置电路、输入匹配电路、输出匹配电路和负反馈电路，PHEMT放大管芯FET1、源极匹配电路和有源偏置电路集成在GaAs芯片上，输入匹配电路、输出匹配电路和负反馈电路由分立器件构成。本实用新型既可以很好地解决在高低温下放大管参数波动的问题，同时片上有源偏置结构体积远小于混合集成的BJT晶体管，更有利于减小体积、提高产品一致性、降低成本；本实用新型的放大器具有批量一致性好、体积小、成本低廉、灵活度高、噪声低、工作频段宽以及易于集成使用的优点，进而使得其在组件和微系统中应用更为灵活，使用更为方便。

基本信息

专利标题：

一种有源偏置集成电路宽带低噪声放大器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021132193.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-17

授权号：

CN212231409U

授权日：

2020-12-25

发明人：

李怀明朱世贵

申请人：

成都华光瑞芯微电子股份有限公司

申请人地址：

四川省成都市高新西区天虹路5号

代理机构：

成都正华专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

代维凡

优先权：

CN202021132193.3

主分类号：

H03F1/26

IPC分类号：

H03F1/26 H03F1/42 H03F1/34