集成电路
公开
摘要
公开了一种集成电路。所述集成电路包括至少一个去耦单元，其中，所述至少一个去耦单元包括至少一个P型去耦MOSFET和至少一个N型去耦MOSFET，并且所述至少一个P型去耦MOSFET的数量不同于所述至少一个N型去耦MOSFET的数量。
基本信息
专利标题 ：
集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334963A
申请号 ：
CN202110686056.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-06-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵成伟陈秀彬
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
张逍遥
优先权 ：
CN202110686056.7
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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