本公开的各实施例涉及集成电路。该集成电路包括非易失性存储器单元。一种用于非易失性存储器单元的存储器晶体管包括被植入半导体衬底中的源极区和漏极区。源极区与漏极区隔开。用于存储器晶体管的双栅极区在源极区与漏极区之间的半导体衬底中至少部分地在深度上延伸，并且还延伸超出该源极区和该漏极区。存储器单元还包括具有栅极区的选择晶体管，该栅极区在用于存储器晶体管的双栅极区上方部分延伸。在存储器晶体管的双栅极区上方延伸的选择晶体管的栅极区的部分具有足够大的表面以接收接触区，因此可以减少选择晶体管的栅极区在半导体衬底上方延伸的部分，以减小存储器单元的占用表面积。