集成电路

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摘要

本揭示是关于一种集成电路。所揭示的技术在沟槽内局部地形成磊晶层，此沟槽具有在沟槽的侧壁中堆叠的角形凹陷。控制凹陷大小以控制在沟槽内形成的磊晶层的厚度。凹陷由覆盖层覆盖并且从最底部凹陷开始相继地逐个暴露出。磊晶层在沟槽内逐个形成，磊晶层的晶面边缘部分对准到相应凹陷中，此凹陷是为了磊晶层而相继地暴露的凹陷。

基本信息

专利标题：

集成电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110649023A

申请号：

CN201910563723.5

公开（公告）日：

2020-01-03

申请日：

2019-06-26

授权号：

CN110649023B

授权日：

2022-04-19

发明人：

叶凌彦萧孟轩孙元成

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

徐金国

优先权：

CN201910563723.5

主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L27/092 H01L29/10 H01L29/423 H01L21/8238