一种低噪声宽带宽LDO电路结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种低噪声宽带宽LDO电路结构，本实用新型提出了一种低噪声、工作稳定的LDO拓扑结构，通过设置基准源、运算放大器、低通滤波器以及电压跟随器；基准源输出端连接运算放大器，运算放大器的输出端连接低通滤波器，低通滤波器的输出电压连接至电压跟随器输入端。本实用新型所设计的LDO结构能够有效抑制由基准源产生的电阻反馈网络放大的噪声，滤波电路由于使用高阻抗器件，大大减小滤波电容体积，超级源随结构减小输出阻抗，使反馈贿赂极点后移，增加系统带宽，另外增加RC电路增加系统零点，提高相位裕度，增加系统稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种低噪声宽带宽LDO电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922417970.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN211149306U
授权日 ：
2020-07-31
发明人 ：
李雅静
申请人 ：
苏州浪潮智能科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴中区吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢
代理机构 ：
济南诚智商标专利事务所有限公司
代理人 ：
李修杰
优先权 ：
CN201922417970.2
主分类号 ：
G05F1/56
IPC分类号 ：
G05F1/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
法律状态
2020-07-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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