超宽带低噪声放大器、射频微波前端电路和无线通信设备
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摘要
本实用新型公开了一种超宽带低噪声放大器、射频微波前端电路和无线通信设备，放大器包括：输入端Input；输出端Output；晶体管Q1、晶体管Q2和晶体管Q3，晶体管Q1的基极与输入隔直电容Cin连接，晶体管Q1的发射极与晶体管Q2的基极连接，晶体管Q2的发射极接地，晶体管Q2的集电极与晶体管Q3的发射极连接，晶体管Q3的集电极与输出隔直电容Cout连接；第一匹配电阻Rb1和第二匹配电阻Rb2；有源偏置电路。本实用新型采用了晶体管Q1和晶体管Q2组成的达林顿复合放大，提高电流放大倍数，保证高增益特性；晶体管Q2和晶体管Q3组成的共射共基结构，作为提供负载信号的放大级，保证输出功率进而提高线性度。
基本信息
专利标题 ：
超宽带低噪声放大器、射频微波前端电路和无线通信设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220983093.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-04-27
授权号 ：
CN216599554U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
霍晓石陈阳贾沂沐王昭笔
申请人 ：
成都海威华芯科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联大道88号
代理机构 ：
成都华风专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张巨箭
优先权 ：
CN202220983093.4
主分类号 ：
H03F1/42
IPC分类号 ：
H03F1/42 H03F1/32 H03F1/56 H03F1/26 H03F3/19 H04B1/18
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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