本实用新型公开了一种带有电吸收光栅结构的Q－调制半导体激光器。包含一个λ/4相移的分布反馈光栅，两个相互分离的上电极沉积于光栅顶部，一个电极沉积在激光器基底作为公共地。第一个上电极覆盖了光栅的一部分，包括相移区，通过注入的恒定电流为激光器提供光增益。第二个上电极则覆盖了远离相移区的光栅的剩余部分，作为激光器的Q－调制器。电信号可以加在该第二个上电极来改变带有电吸收光栅结构的调制器区域波导的吸收系数，改变激光器的Q值，从而改变激光阈值和输出功率。本实用新型的Q－调制半导体激光器具有集成化、高速、高消光比、低波长啁啾和低成本等优点。