光接收二极管的改进结构
专利权的终止
摘要

一种光接收二极管的改进结构,该结构设有一承载架及数个接脚,该承载架上设有收光晶片以及转阻放大器,该收光晶片内建有电容,并通过一垫片结合于承载架上,且该收光晶片的数条打线与所述的接脚连接,一封胶将上述元件及所述接脚的上端封装成型。其中,上述垫片表层镀有一层导电金属。该光接收二极管整体的侧面周缘镀上一层防电磁波干扰的金属薄膜。该光接收二极管的顶端面镀上一层增加光学效能的抗反射膜。通过上述结构,可有简化制造工艺及减少噪声。

基本信息
专利标题 :
光接收二极管的改进结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620121270.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-07-25
授权号 :
CN200941384Y
授权日 :
2007-08-29
发明人 :
张暐陈怀辅黄仕杰
申请人 :
东贝光电科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾台北县
代理机构 :
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 :
谢丽娜
优先权 :
CN200620121270.9
主分类号 :
H01L25/16
IPC分类号 :
H01L25/16  H01L23/488  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件,例如构成混合电路的
法律状态
2016-08-24 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101676317272
IPC(主分类) : H01L 25/16
专利号 : ZL2006201212709
申请日 : 20060725
授权公告日 : 20070829
终止日期 : 无
2007-08-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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