改进型发光二极管结构
专利权的终止
摘要
一种改进型发光二极管结构,包括一铜箔基板,一导电体,一发光二极管芯片,一透明胶和一印刷电路板,其中,所述铜箔基板上设置一矩形凹槽,并在所述矩形凹槽外围设置一环状凹槽,所述环状凹槽将所述矩形凹槽包覆在内,并使所述矩形凹槽侧壁与所述铜箔基板的表面产生一自然导角,进而产生一岛状平台;所述导电体贯穿所述铜箔基板,设置于所述矩形凹槽与所述环状凹槽之间,并于所述导电体外包覆一绝缘体,使所述导电体与所述铜箔基板绝缘;所述发光二极管芯片设置于所述铜箔基板上;所述透明胶设置于所述铜箔基板,包覆一荧光胶与所述铜箔基板表面,并使所述透明胶包覆范围小于所述环状凹槽产生的所述自然导角;所述印刷电路板将所述铜箔基板设置于所述印刷电路板上。
基本信息
专利标题 :
改进型发光二极管结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820125304.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-07-01
授权号 :
CN201265758Y
授权日 :
2009-07-01
发明人 :
吴明昌许志扬徐明佑魏志宏
申请人 :
研晶光电股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾台北县土城市永丰路173之8号5楼
代理机构 :
上海天协和诚知识产权代理事务所
代理人 :
张恒康
优先权 :
CN200820125304.0
主分类号 :
F21S2/00
IPC分类号 :
F21S2/00 F21V19/00 F21V21/00 F21V23/06 F21V9/10 H01L23/28 H01L33/00 F21Y101/02
相关图片
IPC结构图谱
F
F部——机械工程;照明;加热;武器;爆破
F21
照明
F21S
非便携式照明装置或其系统
F21S
非便携式照明装置或其系统
F21S2/00
不包含在大组F21S 4/00至F21S 10/00或F21S 19/00中的照明装置系统,例如模块化结构的
法律状态
2018-07-24 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : F21S 2/00
申请日 : 20080701
授权公告日 : 20090701
申请日 : 20080701
授权公告日 : 20090701
2009-07-01 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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