发光二极管的散热结构
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及一种发光二极管的散热结构,其主要是于散热基座其中一面形成有一凹状槽,于散热基座的表面处理有一绝缘膜层,于上述凹状槽内固设一发光二极管芯片,于散热基座的两侧设有至少一对贯通的组配孔,于每一组配孔处均组配有一具嵌入部的导电金属片,而可藉嵌入部嵌入并穿过上述散热基座的组配孔并将嵌入部端冲压加工,而使导电金属片与散热基座组配一体,并分别以导线与发光二极管芯片的二电极相连接,同时于凹状槽内填充高透光性树脂,于散热基座的凹状槽上方,组设有一光学透镜,进而通过具绝缘膜层的散热基座,而可使发光二极管芯片的热源直接由散热基座进行热交换,进而大幅提高发光二极管的散热效率,并具减化构件以提高生产效率。

基本信息
专利标题 :
发光二极管的散热结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620131462.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-09-06
授权号 :
CN200956373Y
授权日 :
2007-10-03
发明人 :
戴芸戴瑞丰
申请人 :
戴芸;戴瑞丰
申请人地址 :
中国台湾
代理机构 :
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 :
孙皓晨
优先权 :
CN200620131462.8
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  
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法律状态
2011-11-23 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101136909951
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006201314628
申请日 : 20060906
授权公告日 : 20071003
终止日期 : 20100906
2007-10-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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