发光二极管的散热结构

专利权的终止

摘要

本实用新型发光二极管的散热结构，包括有：一散热基板、至少一发光二极管以及导电导热层，该发光二极管藉由导电导热层固定于散热基板上，而该散热基板具有由陶瓷粒子以及复数奈米级无机半导体粒子混合的本体，当发光二极管工作所发出的热源，使该热源传导至散热基板时，令该本体产生热电效应，其中该N、P型半导体的温度差产生热电动势，改变电流流向，而将热源从散热基板的另侧散去，有效达到散热的功效。

基本信息

专利标题：

发光二极管的散热结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820107306.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-04-08

授权号：

CN201196404Y

授权日：

2009-02-18

发明人：

黄茂炎阙麟蕴

申请人：

山巨科技股份有限公司

申请人地址：

台湾省桃园县芦竹乡长兴路3段229巷33号

代理机构：

北京申翔知识产权代理有限公司

代理人：

周春发

优先权：

CN200820107306.7

主分类号：

F21V29/00

IPC分类号：

F21V29/00 H01L23/36 F21V15/02 F21V19/00 H01L33/00 F21Y101/02