导电构件之间的屏蔽构造
专利权的终止
摘要

一种导电构件之间的屏蔽构造,是在一分布于绝缘座体的相邻两导电构件间,置入一金属屏蔽体,以隔开两相邻的导电构件,借此以遮阻两相邻导电构件间的电磁干扰,以维持导电的稳定;其中绝缘座体,是设有多个承接穴,以分别跨接一导电构件。本实用新型是在一分布于绝缘座体的相邻两导电构件间,置入一金属屏蔽体,以隔开两相邻的导电构件,借此以屏蔽两相邻导电构件间的电磁干扰,维持导电的稳定。

基本信息
专利标题 :
导电构件之间的屏蔽构造
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620138474.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-09-01
授权号 :
CN200950722Y
授权日 :
2007-09-19
发明人 :
黄钦雄刘允昱黄明卿郑家茂
申请人 :
建舜电子制造股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾
代理机构 :
天津三元专利商标代理有限责任公司
代理人 :
郑永康
优先权 :
CN200620138474.3
主分类号 :
H05K9/00
IPC分类号 :
H05K9/00  G12B17/02  
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法律状态
2012-11-14 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101344510938
IPC(主分类) : H05K 9/00
专利号 : ZL2006201384743
申请日 : 20060901
授权公告日 : 20070919
终止日期 : 20110901
2007-09-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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