低压降高取光LED电极

专利权的终止

摘要

本实用新型属于光电子器件制造技术领域，具体涉及半导体发光二极管的电极结构。低压降高取光LED电极，其结构包括：半导体基底(1)，欧姆接触层(2)，透明电流扩展层(3)，压焊电极(4)；欧姆接触层与半导体基底接触，覆盖在半导体基底的上面；透明电流扩展层覆盖在欧姆接触层上面；压焊电极位于透明电流扩展层(3)上面；欧姆接触层(2)为一种带有通孔(5)的导电膜(6)；透明电流扩展层(3)通过欧姆接触层(2)的通孔(5)与半导体基底(1)接触。本实用新型解决了传统金属欧姆接触层吸光大的问题，增加了电极的取光效率；降低了传统透明导电氧化物接触层电极驱动电压，获得了低的LED驱动电压。

基本信息

专利标题：

低压降高取光LED电极

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620158556.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-11-24

授权号：

CN200983371Y

授权日：

2007-11-28

发明人：

沈光地徐晨朱彦旭刘莹韩金茹邹德恕

申请人：

北京工业大学

申请人地址：

100022北京市朝阳区平乐园100号

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司

代理人：

沈波

优先权：

CN200620158556.4

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00

法律状态

2017-01-11 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101697388901
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006201585564
申请日 : 20061124
授权公告日 : 20071128
终止日期 : 20151124

2010-02-10 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京太时芯光科技有限公司
变更后 : 北京太时芯光科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 北京市北京经济技术开发区科创二街4号2幢1-4层南部,邮编 : 100176
变更后 : 北京市北京经济开发区地泽北街1号,邮编 : 100176

2008-11-26 ：

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京工业大学
变更后权利人 : 北京太时芯光科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 北京市朝阳区平乐园100号,邮编 : 100022
变更后 : 北京市北京经济技术开发区科创二街4号2幢1-4层南部,邮编 : 100176
登记生效日 : 20081017

2007-11-28 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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