限制环驱动器
授权
摘要
提供了用于半导体处理室的限制组件。限制组件包括多个相互上下布置的限制环。多个限制环的每个分开以空间且多个限制环的每个具有多个限定在其内的孔。提供了延伸通过相应的限制环的对齐的孔的柱塞。柱塞可在大体上垂直于限制环的平面内移动。比例调整支承件固定到柱塞。比例调整支承件构造为支承限制环，使得当柱塞在平面内移动时分开了多个限制环的每个的空间被按比例调整。在一个实施例中，比例调整支承件是波纹套管。提供了半导体处理室和用于将等离子体限制在具有多个限制环的蚀刻室内的方法。
基本信息
专利标题 ：
限制环驱动器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101512040A
申请号 ：
CN200680003234.5
公开（公告）日 ：
2009-08-19
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·西瑞格里安诺
申请人 ：
兰姆研究有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
原绍辉
优先权 ：
CN200680003234.5
主分类号 ：
C23C16/00
IPC分类号 ：
C23C16/00 C23F1/00 H01L21/306
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
法律状态
2011-06-08 ：
授权
2009-10-14 ：
实质审查的生效
2009-08-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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