硅的精炼方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种利用炉渣对低纯度Si进行精炼，特别地去除B的方法，该方法可抑制反应容器的因炉渣而引起的损耗，并以低成本制造在太阳能电池原料等中使用的高纯度Si。通过将SiO2和碱金属氧化物或者碱金属碳酸盐作为炉渣原料添加到熔融的Si中，使其形成炉渣时，将与所使用的反应容器材质相同的物质或反应容器材质中所含有的成分之中的一种或多种物质添加到炉渣中，以去除熔融Si中的杂质。
基本信息
专利标题 ：
硅的精炼方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101115681A
申请号 ：
CN200680004118.5
公开（公告）日 ：
2008-01-30
申请日 ：
2006-02-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
德丸慎司冈泽健介近藤次郎冈岛正树
申请人 ：
新日铁高新材料株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
段承恩
优先权 ：
CN200680004118.5
主分类号 ：
C01B33/037
IPC分类号 ：
C01B33/037
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/037
纯化
法律状态
2015-04-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101603733873
IPC(主分类) : C01B 33/037
专利号 : ZL2006800041185
申请日 : 20060209
授权公告日 : 20100519
终止日期 : 20140209
号牌文件序号 : 101603733873
IPC(主分类) : C01B 33/037
专利号 : ZL2006800041185
申请日 : 20060209
授权公告日 : 20100519
终止日期 : 20140209
2010-05-19 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2008-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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