表面等离子体共振传感器中的表面等离子体光谱术方法及其所用元件

表面等离子体共振传感器中的表面等离子体光谱术方法及其所用...

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种表面等离子体的光谱术方法，其在于：把电磁波入射到衍射光栅上，在该衍射光栅上表面等离子体激发和电磁波波长谱的发散通过衍射同时发生。衍射电磁辐射的波长谱中强度的空间分布的变化被测量，所述变化归因于表面等离子体的激发。表面等离子体的光谱术可以是利用至少两种电磁波或单个电磁波的不同部分在至少两个衍射光栅或单个光栅的不同区域中同时进行的。电磁波可以从电磁辐射的至少两个单色源或者单个多色源中发射。波长发散的衍射电磁辐射的特性通常用至少两个单独的探测器、探测器线性阵列或探测器二维阵列来探测。多通道SPR传感器的传感器元件(1)包含一个或多个衍射光栅，所述衍射光栅用金属层(7)进行完全或部分镀膜，以激发表面等离子体(2)。所述传感器元件(1)的至少一个感测区域(12)用包含被选分子的层进行完全或部分

基本信息

专利标题：

表面等离子体共振传感器中的表面等离子体光谱术方法及其所用元件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101175989A

申请号：

CN200680004811.2

公开（公告）日：

2008-05-07

申请日：

2006-01-12

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

J·霍莫拉O·捷列日尼科夫J·多斯塔尔克

申请人：

无线电工程和电子ASCR学院

申请人地址：

捷克布拉格

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

赵蓉民

优先权：

CN200680004811.2

主分类号：

G01N21/55

IPC分类号：

G01N21/55 G01N33/53