本发明的实施例大体上提供用来蚀刻一基材的方法。在一实施例中，该方法包括决定一基材温度目标曲线(profile)，其对应在一基材上的蚀刻副产物的一均匀的沉积率；偏好地调节一基材支撑件的一第一部分相对于该基材支撑件的一第二部分的温度用以获得在该基材上的该基材温度目标曲线；及蚀刻在被偏好地调节的基材支撑件上的该基材。在另一实施例中，该方法包括提供一基材于一处理室中，该处理室具有一可选择的物质分配于该处理室内，及一具有侧向温度控制的基材支撑件，其中一由该基材支撑件及一物质分配选择所引起的温度曲线包含一控制参数组；用不同的控制参数组来分别蚀刻一第一层物质及蚀刻一第二层物质。