用于低K电介质的侧壁孔密封
授权
摘要
一种用于在集成电路管芯上形成导电互连的双镶嵌工艺。该工艺包括：提供多孔超低k(ULK)电介质材料层(16)，其中随后形成通孔开口(30)。在开口(30)的侧壁上涂敷可热降解聚合物(“生孔剂”)材料(42)，以使生孔剂材料深深地渗入到多孔ULK电介质材料(由此密封孔和增加其密度)。一旦导电材料(36)已经配置开口(30)并且通过化学机械抛光(CMP)背抛光后，完成的结构经受固化步骤以使ULK电介质层(16)的生孔剂材料(44)分解并蒸发，由此恢复电介质层(16)的多孔性(和低k值)。
基本信息
专利标题 ：
用于低K电介质的侧壁孔密封
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101164160A
申请号 ：
CN200680008967.8
公开（公告）日 ：
2008-04-16
申请日 ：
2006-03-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
威廉·费雷德里克·艾德里安勒斯·贝斯令
申请人 ：
NXP股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200680008967.8
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2009-12-02 ：
授权
2008-06-11 ：
实质审查的生效
2008-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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