具有位于由源极/漏极区域产生的边界内的位错环的半导体装置...
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摘要
本发明提供一种晶体管装置(100)，其包含形成在衬底(110)上方的栅极结构(130)和形成在所述栅极结构(130)附近处的源极/漏极区域(150)。所述源极/漏极区域(150)具有与所述衬底(110)形成电结的边界。位错环(160)形成在所述衬底(110)中，在所述源极/漏极区域(150)的所述边界内。所述位错环(160)可通过向所述衬底中植入例如氩或氮等惰性物质或植入例如锗等非惰性物质并对所述衬底进行退火来形成。
基本信息
专利标题 ：
具有位于由源极/漏极区域产生的边界内的位错环的半导体装置和制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101147252A
申请号 ：
CN200680009252.4
公开（公告）日 ：
2008-03-19
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安东尼奥·路易斯·帕切科·罗通达罗柳凯平陈杰弘阿米塔巴·贾殷
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘国伟
优先权 ：
CN200680009252.4
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
2009-07-15 ：
授权
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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