荧光体及其制造方法
授权
摘要
本发明提供了在紫外线和可见光激发下发光的绿色荧光体，与以往的稀土激活赛纶荧光体相比，其绿色亮度更高，与以往的氧化物荧光体相比，其耐久性更好。在具有β型Si3N4晶体结构的氮化物或氮氧化物晶体中固溶Eu，成功地得到通过照射激发源而发出在500nm～600nm范围的波长具有发光峰的荧光的荧光体。在500nm～600nm波长范围内的发光强度高，是优异的绿色荧光体。
基本信息
专利标题 ：
荧光体及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101146891A
申请号 ：
CN200680009535.9
公开（公告）日 ：
2008-03-19
申请日 ：
2006-03-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
广崎尚登
申请人 ：
独立行政法人物质·材料研究机构
申请人地址 ：
日本茨城县
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
葛松生
优先权 ：
CN200680009535.9
主分类号 ：
C09K11/64
IPC分类号 ：
C09K11/64 C09K11/08 H01L33/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K11/00
发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料
C09K11/08
含无机发光材料
C09K11/64
含铝
法律状态
2011-06-08 ：
授权
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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