荧光体的制造方法
授权
摘要
本发明提供一种荧光体的制造方法，所述荧光体为在具有β型Si3N4晶体结构的晶体中固溶Eu的赛纶晶体。所述方法包含将氮化硅粉末、氮化铝粉末和氧化铕粉末的混合物在氮气气氛中、在1820～2200℃的温度范围内进行烧成的烧成工序；所述混合物的比例由fSi3N4·gAlN·hEu2O3的摩尔组成式表示，且f、g和h满足f+g+h＝1、0.04≤g≤0.14和0.002≤h≤0.006的关系式。
基本信息
专利标题 ：
荧光体的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN102226085A
申请号 ：
CN201110100509.X
公开（公告）日 ：
2011-10-26
申请日 ：
2006-03-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
广崎尚登
申请人 ：
独立行政法人物质·材料研究机构
申请人地址 ：
日本茨城县
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟晶
优先权 ：
CN201110100509.X
主分类号 ：
C09K11/80
IPC分类号 ：
C09K11/80
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K11/00
发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料
C09K11/08
含无机发光材料
C09K11/77
含稀土金属
C09K11/80
含铝或镓
法律状态
2014-07-30 ：
授权
2011-12-07 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101149910695
IPC(主分类) : C09K 11/80
专利申请号 : 201110100509X
申请日 : 20060320
号牌文件序号 : 101149910695
IPC(主分类) : C09K 11/80
专利申请号 : 201110100509X
申请日 : 20060320
2011-10-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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