基体表面上的有机被膜的除去方法及除去装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种在不更换剥离液的情况下将半导体用晶片或液晶用基板等基板表面上的光敏抗蚀剂被膜从基板上除去的方法。使以在一个分子中具有两个以上氧的有机环状化合物例如碳酸亚烷基酯为主成分的剥离液与所述基体表面上的光敏抗蚀剂被膜接触，除去所述被膜后，对含在剥离液中的所述被膜成分进行超滤处理，由此从剥离液中去除，将去除了所述被膜成分的剥离液循环再利用于基体表面上的有机被膜的除去。提供具有有机被膜的基体表面的有机被膜的除去装置，其特征在于，包括：导入新剥离液，且导入处理后的剥离液的混合剥离液贮槽；从混合剥离液贮槽机构向接触槽供给剥离液的机构；收容具有有机被膜的基体的基体固定器；从基体固定器取出具有有机被膜的基体，并导入接触槽中，在接触槽内，使剥离液与基体的具有有机被膜的表面接触，使有机
基本信息
专利标题 ：
基体表面上的有机被膜的除去方法及除去装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101199038A
申请号 ：
CN200680021380.0
公开（公告）日 ：
2008-06-11
申请日 ：
2006-03-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
新妻裕志饭沼和久
申请人 ：
东亚合成株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王新华
优先权 ：
CN200680021380.0
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 B01D61/14 G03F7/42 H01L21/304
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2009-12-30 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-08-06 ：
实质审查的生效
2008-06-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
