一种半导体泵浦的腔内倍频激光器

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种半导体泵浦的腔内倍频激光器，其包括激光增益介质与倍频晶体胶合成微片或激光增益介质、倍频晶体与光学材料胶合成微片，其中微片的一端面镀有激光腔膜层，另一端侧设有一片激光腔片或者微片的两端侧分别设有激光腔片，采用以上结构，自己形成稳腔结构，不需要靠热透镜形成稳腔，因而调制上升沿较快，同时采用腔片与微片分立，可以根据需要调整腔长，可以应用于较高功率激光腔设计中，还保持了通常微片式激光器结构紧凑、体积小、成本低的特点，减少了调整环节。

基本信息

专利标题：

一种半导体泵浦的腔内倍频激光器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720008219.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-09-14

授权号：

CN201134609Y

授权日：

2008-10-15

发明人：

陈卫民吴砺郑伟杨建阳黄有义胡企铨

申请人：

福州高意通讯有限公司

申请人地址：

350014福建省福州市晋安区福兴大道39号福州1108信箱

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200720008219.1

主分类号：

H01S3/08

IPC分类号：

H01S3/08 H01S3/109 H01S3/16