弧光放电等离子体制备导电层的金刚石晶体管

专利权的终止

摘要

本实用新型提供了一种弧光放电等离子体制备导电层的金刚石晶体管，包括外壳，外壳内包覆人造多晶金刚石体，人造多晶金刚石体的表面上分别设置金制漏极、铝制栅极和金制源极，人造多晶金刚石体表面上用弧光放电等离子体化学气相沉淀法制备一层氢质导电层。本实用新型的优点在于：它采用金制漏电极、铝制栅极和金制源极为电极，在金刚石表面用弧光放电等离子体化学气相沉淀法制备导电层，使氢质导电层纯正，无杂质，厚度达到0.1μm－0.5μm，导电层均匀一致，跨导值参数达到29ms/mm，比国外同类产品的最高值高出20多倍，并且欧姆接触可达到10^－7量级，能够工业化大批量生产，制造成本低，易于操作，质量稳定可靠等。

基本信息

专利标题：

弧光放电等离子体制备导电层的金刚石晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720018828.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-02-27

授权号：

CN201017888Y

授权日：

2008-02-06

发明人：

李西勤赵仕忠

申请人：

山东泉舜科技有限公司

申请人地址：

250101山东省济南市高新区环境保护科技园往南100米

代理机构：

山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司

代理人：

宋永丽

优先权：

CN200720018828.5

主分类号：

H01L29/772

IPC分类号：

H01L29/772 H01L21/335 H01L21/285 H01L21/3205