一种用于直流弧光放电PCVD金刚石薄膜制备的水冷基底托架...
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种用于直流弧光放电等离子体化学气相金刚石薄膜沉积的水冷基底托架装置,它由不锈钢真空法兰、聚砜法兰、“T”型基底托架、水箱连接件、冷却水套管、热电偶套管、热电偶、水嘴、锁紧螺母组成,其特征在于“T”型基底托架背面、水箱连接件中心部位分别焊接有热电偶套管、冷却水套管,两者由螺纹连接后形成水循环空间,“T”型基底托架通过聚砜法兰与反应腔体绝缘,并可上下移动、旋转,托架表面温度由热电偶测量,所有部件均可灵活拆卸,真空、水冷性能好,并采用在此装置制备出高品质的金刚石薄膜。
基本信息
专利标题 :
一种用于直流弧光放电PCVD金刚石薄膜制备的水冷基底托架装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820140648.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-10-09
授权号 :
CN201309963Y
授权日 :
2009-09-16
发明人 :
汪灵张湘辉龙剑平
申请人 :
成都理工大学
申请人地址 :
610059四川省成都市成华区二仙桥东三路1号成都理工大学
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200820140648.9
主分类号 :
C23C16/27
IPC分类号 :
C23C16/27 C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2011-12-14 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101151909552
IPC(主分类) : C23C 16/27
专利号 : ZL2008201406489
申请日 : 20081009
授权公告日 : 20090916
终止日期 : 20101009
号牌文件序号 : 101151909552
IPC(主分类) : C23C 16/27
专利号 : ZL2008201406489
申请日 : 20081009
授权公告日 : 20090916
终止日期 : 20101009
2009-09-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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