弧光放电化学气相沉积金刚石薄膜的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种弧光放电化学气相沉积金刚石薄膜的方法，它采用甲烷与氢气的混合气体为直流弧光放电等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的反应源气，甲烷在反应源气中的浓度控制在0.5～2.0％之间，反应中还适当增大了反应源气的流量，流量范围为2000～5000标准立方厘米/分，用本发明提供的方法制备的金刚石薄膜的平均生长速率为40～60微米/小时(四小时的平均值)，薄膜中的金刚石晶粒线度可达50～60微米，本方法与已有方法相比，沉积工艺易于控制，薄膜沉积的重复性较好。
基本信息
专利标题 ：
弧光放电化学气相沉积金刚石薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1041187A
申请号 ：
CN89107140.7
公开（公告）日 ：
1990-04-11
申请日 ：
1989-09-19
授权号 ：
CN1016364B
授权日 ：
1992-04-22
发明人 ：
蒋翔六张仿清
申请人 ：
北京市科学技术研究院;兰州大学电子材料研究所
申请人地址 ：
北京市西外南路19号
代理机构 ：
北京市专利事务所
代理人 ：
郭佩兰
优先权 ：
CN89107140.7
主分类号 ：
C23C16/26
IPC分类号 ：
C23C16/26 C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
法律状态
1994-11-02 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-03-17 ：
授权
1992-04-22 ：
审定
1990-05-30 ：
实质审查请求
1990-04-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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