一种高出光效率的半球形GaN基大功率LED芯片
专利权的终止
摘要
一种高出光效率的半球形GaN基大功率LED芯片，它包括：蓝宝石或GaN衬底、在衬底上生长的GaN薄膜、以及在GaN薄膜中间的有源发光层，其特点是：蓝宝石或GaN衬底为半球形，在衬底上生长的GaN薄膜以及在GaN薄膜中间的有源发光层均为半球形。当球的半径足够小时，从有源发光层发出的光经半球形GaN表面出射时，其入射角总是小于全反射的临界角，在该半球面上不会发生全反射，大部分光可以从该球面上透射出去，从而使芯片的外量子效率获得提高，同时减少了芯片内部温度的升高，可提高芯片的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种高出光效率的半球形GaN基大功率LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720068991.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-04-16
授权号 ：
CN201038188Y
授权日 ：
2008-03-19
发明人 ：
吴中林徐华斌陈林
申请人 ：
上海第二工业大学
申请人地址 ：
201209上海市浦东新区金海路2360号
代理机构 ：
上海光华专利事务所
代理人 ：
宁芝华
优先权 ：
CN200720068991.2
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2010-08-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004361834
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007200689912
申请日 : 20070416
授权公告日 : 20080319
号牌文件序号 : 101004361834
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007200689912
申请日 : 20070416
授权公告日 : 20080319
2008-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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