EEPROM擦写高压转换控制缓存装置
专利权的终止
摘要
本实用新型提供一种EEPROM擦写高压转换控制缓存装置，它包括MaskBuf模块、DataBuf模块及数据写入控制逻辑模块，通过在SRAM存储器的真值和互补值两端分别接一个对地的NMOS管，利用SET和RESET信号分别对这两个NMOS管栅极控制，将数据写入SRAM存储器中，SRAM存储器的翻转阈值处于1/2VDD附近，写入的数据具有稳定和可靠等特性，在EEPROM内部擦写过程中，缓存器跟随EEPROM电荷泵输出高压的抬升转换输出高压控制信号，数据写入控制逻辑采用传输门(低压管)逻辑实现，电路简单，结构精简，可在最大程度上优化版图面积，实现本实用新型的目的。
基本信息
专利标题 ：
EEPROM擦写高压转换控制缓存装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720076698.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-10-26
授权号 ：
CN201166987Y
授权日 ：
2008-12-17
发明人 ：
周泉沈晔晖马庆容金娴章旭明严沁佳
申请人 ：
上海复旦微电子股份有限公司
申请人地址 ：
200433上海市杨浦区国泰路127号4号楼
代理机构 ：
上海天翔知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘粉宝
优先权 ：
CN200720076698.0
主分类号 ：
G11C16/10
IPC分类号 ：
G11C16/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
法律状态
2017-11-24 ：
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : G11C 16/10
申请日 : 20071026
授权公告日 : 20081217
申请日 : 20071026
授权公告日 : 20081217
2008-12-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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