一种应用于溅射系统中的密排尖端阳极
专利权的终止
摘要
一种应用于溅射系统中的密排尖端阳极,以金属作为基体,其中部镂空,镂空部分的内侧边缘是由若干个尖端体连续排列连接而成,且每个尖端体的尖端朝向镂空部分的中部。在溅射设备中是将密排尖端阳极设置在溅射靶材与样品之间,密排尖端阳极的镂空部分与溅射靶材相对。采用本实用新型的密排尖端阳极的溅射设备,是一种能够应用于平面靶溅射批量化制备YBCO薄膜材料的溅射设备,通过加载本实用新型的密排尖端的阳极,极大地消除负氧离子轰击的影响,满足批量化制备的速度和工艺窗口要求。
基本信息
专利标题 :
一种应用于溅射系统中的密排尖端阳极
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720191117.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-12-28
授权号 :
CN201144281Y
授权日 :
2008-11-05
发明人 :
李弢古宏伟王霈文
申请人 :
北京有色金属研究总院
申请人地址 :
100088北京市新街口外大街2号
代理机构 :
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 :
程凤儒
优先权 :
CN200720191117.8
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35 C23C14/50
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2018-01-23 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20071228
授权公告日 : 20081105
申请日 : 20071228
授权公告日 : 20081105
2008-11-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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