本实用新型涉及N沟道功率MOS管驱动芯片中电流模式电平转换电路，包括：第零NMOS管和第零PMOS管的栅极连在一起连到输入端，第零PMOS管的源极接到VDD1，第零PMOS管的漏极接第一电阻的一端，第零NMOS管的源接地GND1，第零NMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极和栅极、第二NMOS管的栅极以及第一电阻的另一端连在一起，第一NMOS管和第二NMOS管的源极接地GND1，第二NMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极和漏极以及第二PMOS管的栅极连在一起，第一PMOS管和第二PMOS管的源极连到VDD2，第二NMOS管的漏极与第二电阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的栅极连在一起，第二电阻的另一端和第三NMOS管的源极连接到GND2上，第三PMOS管的源极连到VDD2上，第三PMOS管和第三NMOS管的漏极连到输出端；解决对栅耐压要求较高的问题。