N沟道功率MOS管驱动芯片中电流模式电平转换电路
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及N沟道功率MOS管驱动芯片中电流模式电平转换电路,包括:第零NMOS管和第零PMOS管的栅极连在一起连到输入端,第零PMOS管的源极接到VDD1,第零PMOS管的漏极接第一电阻的一端,第零NMOS管的源接地GND1,第零NMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极和栅极、第二NMOS管的栅极以及第一电阻的另一端连在一起,第一NMOS管和第二NMOS管的源极接地GND1,第二NMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极和漏极以及第二PMOS管的栅极连在一起,第一PMOS管和第二PMOS管的源极连到VDD2,第二NMOS管的漏极与第二电阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的栅极连在一起,第二电阻的另一端和第三NMOS管的源极连接到GND2上,第三PMOS管的源极连到VDD2上,第三PMOS管和第三NMOS管的漏极连到输出端;解决对栅耐压要求较高的问题。
基本信息
专利标题 :
N沟道功率MOS管驱动芯片中电流模式电平转换电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820058987.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-05-27
授权号 :
CN201263144Y
授权日 :
2009-06-24
发明人 :
戴忠伟
申请人 :
上海广晶电子科技有限公司
申请人地址 :
200030上海市虹桥路333号613室
代理机构 :
上海智信专利代理有限公司
代理人 :
胡美强
优先权 :
CN200820058987.2
主分类号 :
H03K19/0185
IPC分类号 :
H03K19/0185
法律状态
2018-06-19 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : H03K 19/0185
申请日 : 20080527
授权公告日 : 20090624
申请日 : 20080527
授权公告日 : 20090624
2016-08-31 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101738086773
IPC(主分类) : H03K 19/0185
专利号 : ZL2008200589872
变更事项 : 专利权人
变更前 : 广芯电子技术(上海)有限公司
变更后 : 广芯电子技术(上海)股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 200030 上海市徐汇区乐山路33号三幢305室
变更后 : 200030 上海市徐汇区乐山路33号三幢305室
号牌文件序号 : 101738086773
IPC(主分类) : H03K 19/0185
专利号 : ZL2008200589872
变更事项 : 专利权人
变更前 : 广芯电子技术(上海)有限公司
变更后 : 广芯电子技术(上海)股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 200030 上海市徐汇区乐山路33号三幢305室
变更后 : 200030 上海市徐汇区乐山路33号三幢305室
2012-08-22 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101441538433
IPC(主分类) : H03K 19/0185
专利号 : ZL2008200589872
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海广晶电子科技有限公司
变更后权利人 : 广芯电子技术(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200030 上海市虹桥路333号613室
变更后权利人 : 200030 上海市徐汇区乐山路33号三幢305室
登记生效日 : 20120713
号牌文件序号 : 101441538433
IPC(主分类) : H03K 19/0185
专利号 : ZL2008200589872
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海广晶电子科技有限公司
变更后权利人 : 广芯电子技术(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200030 上海市虹桥路333号613室
变更后权利人 : 200030 上海市徐汇区乐山路33号三幢305室
登记生效日 : 20120713
2009-06-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载