一种锑化铝透明薄膜太阳电池

专利权的终止

摘要

一种锑化铝透明薄膜太阳电池，属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计。其结构为玻璃/CTO/ZTO/CdS/AlSb/单壁碳纳米管涂层/Ni/Al/MgF₂，即在玻璃上先沉积透明导电膜CZT，然后沉积缓冲层ZTO，接着沉积n型窗口层CdS和p型吸收层AlSb，随后沉积单壁碳纳米管涂层作为透明导电背接触，最后沉积Ni/Al栅线以及MgF₂减反层。采用这种结构设计，可显著提高薄膜太阳电池的光电转换效率。同时，这种结构的太阳电池能以较高的透过率透过大于800nm波长的太阳光，从而被薄膜叠层电池中的底电池有效利用，因此，这种透明电池对薄膜叠层电池的研制具有重要意义。

基本信息

专利标题：

一种锑化铝透明薄膜太阳电池

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820061642.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-01-07

授权号：

CN201156545Y

授权日：

2008-11-26

发明人：

李卫冯良桓吕彬蔡亚平张静全黎兵武莉莉雷智郑家贵孙震谢晗科

申请人：

四川大学

申请人地址：

610064四川省成都市九眼桥望江路29号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200820061642.2

主分类号：

H01L31/072

IPC分类号：

H01L31/072